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半浮栅晶体管问世,中国首次领跑微电子领域

2013.08.12
       89日,由复旦大学微电子学院张卫教授领衔团队研发的世界第一个半浮栅晶体管(SFGT)研究论文刊登于《科学》杂志,这是我国科学家首次在该权威杂志发表微电子器件领域的研究成果。而意义更大的是,这种新型晶体管将有助于我国掌握集成电路的核心技术。 

     目前,DRAMSRAM和图像传感器技术的核心专利基本上都是被美光、三星、Intel、索尼等国外公司控制。“在这些领域,中国大陆具有自主知识产权且可应用的产品几乎没有。国外集成电路厂商常会以高价将落后一到两代的技术淘汰给中国企业,而中国曾经有DRAM制造企业,由于与先进工艺存在一代半以上的技术差距而缺乏市场竞争力,现在已经不再做DRAM产品。“半浮栅晶体管”的发明意味着,中国头一次赶在了国际大企业之前,在微电子领域里头一回“领跑”,是我国在新型微电子器件技术研发上的一个里程碑。

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